АлтГУ разрабатывает модель усовершенствованных полупроводников

Научный коллектив Института химии и химико-фармацевтических технологий Алтайского государственного университета приступил к реализации проекта под названием «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений».

В команду исследователей, которую возглавила доцент кафедры физической и неорганической химии ИХиХФТ, кандидат физико-математических наук, доцент Юлия Владимировна Терентьева, вошли студенты и аспиранты института, которые занимаются исследованием полупроводниковых систем, в том числе и легированных 3d-металлами.

Проект ученых института химии и химико-фармацевтических технологий АлтГУ нацелен на создание модели насыщения полупроводников 3d- металлами.

«Наша задача определить то количество 3d- металла, которое будет оптимальным для появления новых свойств полупроводников, поскольку их недостаток не даст желаемого результата, а от избытка полупроводниковая решетка может вообще разрушиться. Уже проведенные нами компьютерные эксперименты показали хорошие результаты, сопоставимые с практическими экспериментами, проводимыми в различных научных институтах страны, - подчеркнула Юлия Владимировна. – Мы устанавливаем содержание легирующего 3d-металла, которое позволяет приобрести исходному полупроводнику магнитные свойства, без потери полупроводниковых свойств».

Ученые АлтГУ занимаются фундаментальным исследованием полупроводниковых соединений, результаты которого могут быть в дальнейшем применены для создания новых элементов телефонов, компьютеров, телевизоров и другой электроники, вплоть до космической отрасли. Так, например, если обычный полупроводник можно использовать в лазерах, микросхемах и различной электронике, то легированные 3d-металлами могут быть использованы в качестве элементов приборов спинтроники, использующей еще и магнитные свойства полупроводников.

«До нас подобных теоретических исследований пока никто не проводил и поэтому выполняемые нами компьютерное моделирование и квантово-механический расчет позволяют предугадывать свойства той системы, которую мы исследуем. А поскольку наши результаты согласуются с результатами натурных экспериментов, то итоги нашей работы могут стать очередным шагом в фундаментальном исследовании наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений, на основе полупроводниковых матриц», - подытожила руководитель исследовательской группы.

Добавим, что проект «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем полупроводниковых многокомпонентных соединений» вошел в число победителей конкурса внутриуниверситетских грантов для молодых научно-педагогических работников АлтГУ, который проходил в опорном вузе Алтайского края с марта по апрель 2020 года.